第三类存储技术问世，可“裁剪”数据存储时间，比U盘快1万倍 第三代电荷存储技术，写入速度比目前U盘快1万倍，数据刷新时间是内存技术的156倍，并且拥有卓越的调控性，可以实现按需“裁剪”数据10秒至10年的保存周期。
2018年04月11日 网易科技 | 存储技术，半导体 热度 1892
第三类存储技术问世，可“裁剪”数据存储时间，比U盘快1万倍 第三代电荷存储技术，写入速度比目前U盘快1万倍，数据刷新时间是内存技术的156倍，并且拥有卓越的调控性，可以实现按需“裁剪”数据10秒至10年的保存周期。
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