国产硅单光子探测芯片再进一步

2019年10月18日 来源:ofweek 作者:ofweek

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原标题:国产硅单光子探测芯片再进一步,无锡中微晶园电子取得新突破


10月17日消息,由无锡中微晶园电子有限公司牵头承担的国家重点研发计划“重大科学仪器设备开发”重点专项“高灵敏硅基雪崩探测器研发及其产业化技术研究”项目经过近两年的努力,突破了低抖动、大光敏面硅单光子探测芯片设计、界面电场调控的离子注入和氧化层制备、低噪声芯片封装等关键技术,开发出硅单光子探测器样机。

近日,该项目顺利通过了科技部高技术中心组织的中期检查。

硅单光子探测器具有超高灵敏度,是 300-1100nm 波段超高灵敏探测不可替代的关键芯片,且器件性能稳定可靠、易形成面阵,是实现远距离精密测量、激光雷达等重大科学仪器的关键核心部件之一。

据透露,该项目下一步将加快产品化开发,提高产品技术成熟度,加快产品应用示范及推广。